APPLICATION
北京化工大學嚴乙銘教授，楊志宇副教授通過Mg2+離子在過渡金屬(TM)層之間的限域來壓縮[MnO6]八面體，以提高電化學穩(wěn)定性。MnO2中壓縮的[MnO6]構型避免了電化學過程中簡并電子基態(tài)的形成，從而抑制了J-T畸變，有效提高了電化學可逆性。實驗和理論結果都證實了簡并基態(tài)的避免是由于Mn4+軌道簡并性的消除。這種電子結構可以減輕J-T畸變，并進一步提高Na+存儲過程中的循環(huán)穩(wěn)定性。
北京化工大學楊志宇研究員及其團隊利用 d-π 共軛策略來提高 TMO 的電子電導率。選擇具有大共軛體系的酞菁 (Pc) 分子來修飾過渡金屬氧化物 (δ-MnO2)。通過密度泛函理論（DFT）模擬，驗證MnO2和Pc之間的強d-π共軛可以提高MnO6單元中低能軌道（dxy）的軌道能級，進而提高dxy的氧化還原活性，從而顯著提高電化學鈉存儲性能。
華南理工大學發(fā)光材料與器件國家重點實驗室周博教授團隊提出了一種基于界面能量傳遞（IET）的概念模型，在時間和空間維度上實現(xiàn)了上轉換發(fā)光動力學過程調控與光色動態(tài)調節(jié)。該工作以“Spatiotemporal control of photochromic upconversion through interfacial energy transfer”為題發(fā)表在著名期刊Nature Communications上。
北京化工大學的嚴乙銘教授、楊志宇研究員課題組通過在MnO2/g-C3N4異質結構中構建界面電子橋，增強的Npz-Mndz2軌道雜化成功提高了其用于HCDI的性能。Npz-Mndz2軌道雜化誘導了從g-C3N4到MnO2的電子遷移，實現(xiàn)了高的Mn dz2電子占據。在工作電壓為1.2V的條件下，MnO2/g-C3N4表現(xiàn)出68mg g-1的除鹽量，3.6mg g-1 min-1的除鹽率以及0.7224kWh kg-1的能耗。這項創(chuàng)新的工作為激活金屬氧化物電化學活性，從而為加速電荷轉移提供了一個可行的方法。
光生電荷特性的研究對很多光電材料與器件的應用開發(fā)具有重要意義，如各種新型太陽能電池、新型高速光電探測器，以及新型光催化與光電催化材料中光誘導載流子的傳輸、復合、電荷轉移特性的研究等。表面光電壓技術是基于表面光伏效應進行測量的方法,稱之為表面光伏技術(Surface Photovoltaic Technique, 簡稱 SPV 技術)或表面光電壓譜(Surface Photovoltaic Spectroscopy，縮寫為SPS)，被廣泛應用于半導體光生電荷的壽命、表面電勢、導電類型、異質結電荷轉移，少數(shù)載流子擴散長度等參數(shù)的光學測量。[1,2] 本文介紹了卓立漢光基于寬光譜可調單色光源的一體化表面光電壓譜測試系統(tǒng)，以滿足多種不同類型光電材料的表面光電壓表征與研究的測量需求。
13810146393
在線咨詢
